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J-GLOBAL ID：202002259135528161   整理番号：20A2473440

絶縁体上のn型引張歪Geの低温(λ=450°C)形成のための層交換結晶化【JST・京大機械翻訳】

Layer-exchange crystallization for low-temperature (~450 °C) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator

著者 (2件)： Gao Hongmiao (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Sadoh Taizoh (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 17  ページ： 172102-172102-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上のn型引張歪結晶Geの低温(<500°C)形成技術を開発するために,グループV元素を用いたGeの層交換結晶化を研究した。ここでは,グループV元素のSbを触媒として用いた。a-Ge(100nm)/Sb(100nm)二層積層構造のアニーリング(450°C)は,層交換結晶化を生成した。すなわち,GeとSb層はそれらの位置を交換し,Ge層は絶縁体基板上に結晶化した。しかし,Ge蒸発はアニーリング中に生じ,高濃度のSb(~20%)はGe/絶縁体界面に残った。これらの問題を解決するために,Sb膜の厚み低減とa-Ge薄膜層の導入を調べた。アニーリング(450°C)a-Ge(100nm)/Sb(50nm)/a-Ge(5nm)三層構造によって,Ge蒸発またはSb残留物のない絶縁体上のGe層の層交換結晶化を達成した。これは,n型引張歪(約0.3%)Ge層(自由電子濃度:~5×1017cm-3)の形成を可能にする。さらに,拡散障壁の導入による成長Ge膜の結晶方位制御を調べた。これらの結果は,先進エレクトロニクスとフォトニクスのための機能性薄膜デバイスを実現するために,グループV要素によって誘起された層交換結晶化の可能性を実証した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *結晶化 ,  焼なまし ,  蒸発 ,  *低温 ,  薄膜 ,  アンチモン ,  *ゲルマニウム ,  結晶方位 ,  電子技術 ,  薄膜成長 ,  拡散障壁 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： フォトニクス ,  高濃度 ,  *引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  引張歪 ,  Ge ,  低温 ,  層 ,  結晶化