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J-GLOBAL ID：202002259567083360   整理番号：20A0484284

SiC基板上のエピタキシャルグラフェンの高安定性【JST・京大機械翻訳】

High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate

著者 (11件)： Kujime Takaya (Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Taniguchi Yoshiaki (Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Taniguchi Yoshiaki (Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Akiyama Daiu (Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Kawamura Yusuke (Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Kanai Yasushi (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Suita, 567-0047, Japan) ,  Matsumoto Kazuhiko (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Suita, 567-0047, Japan) ,  Ohno Yasuhide (Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Ohno Yasuhide (Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Nagase Masao (Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan) ,  Nagase Masao (Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 2  ページ： e1900357  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上のエピタキシャルグラフェン膜に対する強酸処理の効果を調べ,従来の半導体デバイス作製プロセスとの安定性と適合性を確認した。エピタキシャルグラフェン膜を,シリコンベースの技術のための洗浄プロセスにおいて通常使用されるピラニア溶液(H_2O_2+H_2SO_4)の形で強い酸で処理した。Raman分光法,Hall測定および接触角測定をピラニア処理の前後に行った。Ramanマッピングの結果は,piranha処理前後の劇的な変化を示さなかった。特に,Dバンドはピラニア処理後には観測されなかった。Hall測定から,電子移動度は5piranha処理後に920から1420cm2V-1s-1にわずかに増加した。接触角は(72.8°)の前と5つのピラニア処理(75.2°)後にほとんど一定である。これらの結果は,エピタキシャルグラフェン膜がピラニア処理下で非常に安定であることを示している。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  適応性 ,  *エピタクシー ,  接触角 ,  *グラフェン ,  ケイ素 ,  半導体素子 ,  電子移動度 ,  Dバンド ,  強酸
準シソーラス用語： *エピタキシャルグラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 接触角 ,  エピタキシャルグラフェン ,  Piranha処理 ,  Raman分光法

分類 (1件)： X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC基板 ,  エピタキシャルグラフェン ,  安定性