Kujime Takaya について
Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Taniguchi Yoshiaki について
Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Taniguchi Yoshiaki について
Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Akiyama Daiu について
Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Kawamura Yusuke について
Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Kanai Yasushi について
Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Suita, 567-0047, Japan について
Matsumoto Kazuhiko について
Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Suita, 567-0047, Japan について
Ohno Yasuhide について
Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Ohno Yasuhide について
Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Nagase Masao について
Gaduate School of Advanced Technology and Science, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Nagase Masao について
Institute of Post-LED Photonics, Tokushima University, Tokushima, 770-8506, Japan について
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics について
Raman分光法 について
適応性 について
エピタクシー について
接触角 について
グラフェン について
ケイ素 について
半導体素子 について
電子移動度 について
Dバンド について
強酸 について
エピタキシャルグラフェン について
接触角 について
エピタキシャルグラフェン について
Piranha処理 について
Raman分光法 について
X線回折法 について
SiC基板 について
エピタキシャルグラフェン について
安定性 について