文献

J-GLOBAL ID：202002259758420964   整理番号：20A2648242

偏光超接合(PSJ)技術によるEモードGaN HEMTの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of E-mode GaN HEMTs by the Polarization Super Junction (PSJ) technology

著者 (3件)： Sharbati Samaneh (Centre for Industrial Electronics (CIE), The Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark (SDU), Alsion 2, Sonderborg 6400, Denmark) ,  Ebel Thomas (Centre for Industrial Electronics (CIE), The Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark (SDU), Alsion 2, Sonderborg 6400, Denmark) ,  Franke Wulf-Toke (Centre for Industrial Electronics (CIE), The Mads Clausen Institute, University of Southern Denmark (SDU), Alsion 2, Sonderborg 6400, Denmark)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,分極超接合(PSJ)概念に基づく通常OFF高電圧GaN HFETを提示した。この新デバイスでは,閾値電圧(V_TH)は,抵抗(R_ON)特性を変更することなく,凹んだ領域のエッチング深さを調整することによって制御できる。Eモードデバイスの閾値電圧は2Vに増加したが,実験Dモード構造の閾値電圧は約4Vであった。最小オン抵抗を有する高いブレークダウン電圧(BV)の達成の課題を,改良性能指数(FOM)を達成するために,陥没領域の横方向スケーリングによって対処した。提案したEモードPSJ HFETの特定のオン抵抗は低く,一方,デバイスのBVは,同じ次元パラメータを有するDモードPSJ HFETの560Vから800Vに増加した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分極 ,  *偏光 ,  性能指数 ,  *窒化ガリウム ,  オン抵抗
準シソーラス用語： HFET ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  *超接合 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 偏光 ,  超接合 ,  GaN ,  HEMT ,  設計