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J-GLOBAL ID：202002260421819561   整理番号：20A0487426

Siイオン注入による増強および空乏モードMOSFETから成るGaNベースモノリシックインバータ【JST・京大機械翻訳】

GaN-Based Monolithic Inverter Consisting of Enhancement- and Depletion-Mode MOSFETs by Si Ion Implantation

著者 (7件)： Okada Hiroshi (Institute of Liberal Arts and Sciences, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan) ,  Okada Hiroshi (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan) ,  Miwa Kiyomasa (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan) ,  Yokoyama Taichi (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan) ,  Yamane Keisuke (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan) ,  Wakahara Akihiro (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan) ,  Sekiguchi Hiroto (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, 441-8580, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 3  ページ： e1900550  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,nチャネル増強と空乏化モードMOSFET(E-MOSFETとD-MOSFET)から成るGaN系モノリシックインバータ回路に対する10~11~10~14cm~2の線量範囲でのGaNへのSiイオン注入の効果を調べた。注入線量依存性をSi注入GaN金属-オキシド-半導体(MOS)キャパシタの容量-電圧(C-V)測定により調べた。高線量試料における電圧バイアス方向のC-V曲線の拡張とSi線量へのその非線形依存性を論じた。サファイア基板上に[数式:原文を参照]のMgドーピング濃度を有するp-GaN上に作製したE-およびD-MOSFETの特性を示した。正常および正規オフ特性を有するE-およびD-MOSFETの動作を得た。MOSFET特性をさらに改善するために,GaN基板上に1×10~17cm-3の[Mg]を有する低Mg濃度p-GaN層をモノリシックE-およびD-MOSFET作製に用いた。改善されたE-MOSFET特性は,38cm~2(Vs)~-1の実効移動度によって確認された。同じチップ上のモノリシックE-およびD-MOSFETにおいて,最大電圧利得1.5を超える増強/空乏化(E/D)型インバータの成功した動作を示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  *MOSFET ,  移動度 ,  チャネル ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  放射線量 ,  電圧 ,  コンデンサ ,  *イオン注入 ,  バイアス ,  集積回路 ,  半導体

著者キーワード (5件)： GaN ,  集積回路 ,  インバータ ,  イオン注入 ,  MOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Siイオン ,  注入 ,  増強 ,  空乏モード ,  MOSFET ,  GaN