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J-GLOBAL ID：202002260530039420   整理番号：20A2238149

分極接合基板における2DEG枯渇電圧の解析的導出

Analytical evaluation of 2DEG depletion voltage in polarization junction substrate

著者 (7件)： 松橋泰平 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  沖田寛昌 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-PA9-18  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【序論】分極接合基板はGaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造により二次元電子ガス(2DEG)と二次元正孔ガス(2DHG)を同一基板上に形成できることから、GaNパワーICにおいてGaN相補型回路を実現しうる基盤技術である。しかしながら、...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  コンデンサ ,  最適化 ,  *電圧 ,  電荷 ,  *分極 ,  Fermi準位 ,  電荷分布 ,  P型半導体 ,  キャリア密度 ,  二次元 ,  空乏層 ,  窒化ガリウム ,  *二次元電子ガス ,  バンドギャップ ,  ヘテロ構造 ,  改変

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  2DEG ,  枯渇 ,  解析 ,  導出