文献

J-GLOBAL ID：202002262158025139   整理番号：20A2204540

量子井戸ダイオードレーザの直列抵抗に及ぼす捕獲時間の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of the capture time on the series resistance of quantum-well diode lasers

著者 (4件)： Boni A (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Wuensche H J (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Wenzel H (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Crump P (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 8  ページ： 085032 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子井戸を含む半導体ヘテロ構造に注入された電子と正孔を有限時間で捕獲した。この事実は,この非常に事実が直列抵抗に対してかなりの過剰な寄与を引き起こし,これはGaAsベースの高出力レーザに対するより高い効率に対する主な制限要因の1つであることを示した。この理論は,量子井戸内の電流流のドリフト-拡散記述と量子井戸の捕獲-エスケーププロセスに対する標準顕微鏡ベースモデルを結合した。それらのAl含有量が異なる5つのGaAsベースデバイスのシミュレーションは,最近測定したヒートシンク温度低下に伴う直列抵抗の予想外で,今までに原因不明の増加を明らかにした。有限捕獲時間は,バルク層抵抗(温度上昇と共に減少)が1mΩから30mΩに抵抗し,実験と良く一致した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  電流 ,  半導体 ,  *半導体レーザ ,  ヒ化ガリウム ,  ドリフト ,  *捕獲 ,  高出力レーザ ,  ヒートシンク ,  *量子井戸 ,  昇温
準シソーラス用語： *直列抵抗 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子井戸 ,  ダイオードレーザ ,  直列抵抗 ,  捕獲