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J-GLOBAL ID：202002263571049938   整理番号：20A0844408

UV-NIL後に電子ビーム露光可能なレジスト材料の電子ビーム描画特性

著者 (4件)： 千崎沙彩 (東京理大 基礎工) ,  松本治輝 (東京理大 基礎工) ,  岡部貴雄 (東京理大 基礎工) ,  谷口淳 (東京理大 基礎工)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2020  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.A00  発行年： 2020年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では紫外線によるナノインプリントリソグラフィ(UV-NIL)後に電子ビーム露光ができるレジスト材料について電子ビーム描画特性を調べた。この調査はハイブリッドパタンを形成するうえで重要である。実験は,UV-NIL時の紫外線照射時間と電子線のDose量を変化させることで特性評価を行った。その結果,設計値60nmで電子ビーム描画したパターンが,現像後290nmの微細線が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *材料 ,  *画像処理 ,  紫外線照射 ,  キャラクタリゼーション ,  検証
準シソーラス用語： UVナノインプリントリソグラフィー ,  *レジスト材料 ,  *描画 ,  特性評価 ,  実験検証

分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (3件)：

• M.Mortazavi, M.Nosonovsky, P.Adhesion, Friction, and Lubrication, John Wiley & Sons(2013)
• S.Park, K.Choi, G.Kim, J.Lee, Microelectronic Engineering (2009) 604-607.
• T.Okabe, H.Maebashi, J.Taniguchi, Microelectronic Engineering (2019) 6-12.

タイトルに関連する用語 (4件)： NIL ,  電子ビーム露光 ,  レジスト材料 ,  電子ビーム描画