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J-GLOBAL ID:202002263823199218   整理番号:20A0739905

β′′-(ビス-エチレンジチオ-テトラチアフルバレン))4Pd(CN)4H2Oの1軸圧力下の電気抵抗率

Electrical Resistivity under Uniaxial Pressures of β′′-(bis-ethelenedithio-tetrathiafulvalene)4Pd(CN)4H2O
著者 (4件):
資料名:
巻: 89  号:ページ: 034709.1-034709.7  発行年: 2020年03月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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1軸圧力下の2次元分子導体β′′-(ビス-エチレンジチオ-テトラチアフルバレン)4Pd(CN)4H2Oの電気抵抗率を報告した。分子積層方向に沿った圧縮も,積層方向に垂直な方向に沿った圧縮も,静水圧の場合と対照的に超伝導転移が誘起されなかった。積層方向に沿って圧縮すると,積層方向に沿った最隣接Coulomb斥力(V)により駆動されて,イオン性のサイトと中性のサイトが交互に配列するため,抵抗率が増加した。垂直方向に沿った1軸圧力下の抵抗率の温度依存性は,80Kより下では小さいが無視できない増加を示した。この現象は,移動積分,あるいはVの増加に起因するものではなく,垂直方向に沿った電子-フォノン相互作用により駆動される移動積分の不均一な増加に起因するものある。著者らの実験結果から,静水圧下の電荷ゆらぎは,積層方向と垂直方向の両方に沿った圧縮により形成される電荷分布間の競合が原因となることが示唆された。(翻訳著者抄録)
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