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J-GLOBAL ID：202002264145535771   整理番号：20A2488180

EUVリソグラフィーのための新しい主鎖切断型フォトレジスト【JST・京大機械翻訳】

A novel main chain scission type photoresists for EUV lithography

著者 (5件)： Shirotori A. (Zeon Corp. (Japan)) ,  Hoshino M. (Zeon Corp. (Japan)) ,  De Simone D. (IMEC (Belgium)) ,  Vandenberghe G. (IMEC (Belgium)) ,  Matsumoto H. (Zeon Corp. (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11517  ページ： 115170D-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前の世代材料(ZER02#1)の性能を,2019年にEUVLシンポジウムで報告した。優れた性能にもかかわらず,開発プロセスにおける安定性問題および顧客のFab要求による特別な有機溶媒の不和合性は,その更なる開発およびスケールアップを困難にする。したがって,Zeonは,ZER02#1の同じレベルでEUV吸着を保ち,現像剤として一般的な有機溶媒を導入するために,単量体とポリマー特性を変えることによって,新しいZER02#3レジストを開発した。ZER02#3レジストを有する高密度線-空間(L/S)パターンおよび接触孔(C/H)パターンのリソグラフィー性能を提示した。L/Sパターンでは,54.2mJ/cm2の露光線量で16nm半ピッチの分解能が達成され,NXE3300によりバイアスLWRが4.1nm,バイアスLERが2.6nmであった。六方晶C/Hパターンでは,40nmピッチが72.4mJ/cm2で分解され,NXE3300によるLCDUは3.1nmであった。ZER02#3は,ZER02#1でリソグラフィー性能を維持するので,感度を強化することができた。達成されたリソグラフィー性能の向上に加えて,ゲル透過クロマトグラフィーのような基礎研究を,EUV曝露下のパタリング機構をより良く理解するために実現した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  重合体 ,  現像液 ,  *フォトレジスト ,  ゲル浸透クロマトグラフィー ,  露光 ,  単量体 ,  放射線量 ,  六方晶系 ,  *レジスト ,  *リソグラフィー ,  有機溶媒 ,  コンタクトホール
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  極端紫外線リソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVリソグラフィー ,  主鎖切断 ,  フォトレジスト