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J-GLOBAL ID：202002264337219197   整理番号：20A1114683

水素化非晶質Siで表面不動態化した歪んだGeオン絶縁体からの光ルミネセンスの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced photoluminescence from strained Ge-on-Insulator surface-passivated with hydrogenated amorphous Si

著者 (7件)： Niikura Kenta (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan) ,  Yamahata Natsuki (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan) ,  Hoshi Yusuke (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan) ,  Takamura Tsukasa (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan) ,  Saito Kimihiko (Faculty of Symbiotic Systems Science, Fukushima University, 1 Kanayagawa, Fukushima, 960-1296, Japan) ,  Konagai Makoto (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan) ,  Sawano Kentarou (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, 158-0082, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 115  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだGeからの発光特性に及ぼす水素化非晶質Si(a-Si:H)層の堆積によるGe-オン-インシュレータ(GOI)作製とその表面不動態化の影響を調べた。GOI製作は室温光ルミネセンス(PL)の劇的な増強をもたらすことを示した。起源の一つは歪緩和により必然的に形成された欠陥Ge層の除去である。また,a-Si:H層による表面不動態化は,a-Si:Hのドーパント型,pまたはnがGeのそれと一致することを示すPL強度をさらに高めることができることを見出した。結果として,成長したGe-on-Siと比較して15倍までのPL強度増強を得た。これは,a-Si:Hで不動態化されたGOIがSiプラットフォーム上のGeベース高効率発光体に対する有望な構造であることを示す。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *不動態化 ,  絶縁材料 ,  *水素化 ,  *非晶質 ,  ドーパント ,  *アモルファスシリコン ,  *絶縁体 ,  発光特性 ,  *表面不動態化 ,  水素化アモルファスシリコン ,  *改変
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  高効率 ,  a-Si:H , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素化 ,  非晶質Si ,  表面不動態化 ,  Ge ,  絶縁体 ,  光ルミネセンス ,  増強