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J-GLOBAL ID:202002265325656058   整理番号:20A1101042

光電子フィールドプログラマブルゲートアレイのための放射線劣化解析と回路性能改善法【JST・京大機械翻訳】

Radiation-degradation Analysis and a Circuit Performance Improvement Method for Optoelectronic Field Programmable Gate Array
著者 (2件):
資料名:
巻: 2019  号: SOCC  ページ: 306-311  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ホログラフィックメモリ,レーザアレイ,および標準CMOSプロセスプログラマブルゲートアレイVLSIから成る放射線硬化光電子フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)が既に開発されている。光電子FPGAはソフトエラー耐性を提供し,1Grad以上の全イオン化線量に耐えることができる。しかし,光電子FPGAの劣化は小さく無視できない。伝搬遅延と電力消費は全イオン化線量の増加と共に増加した。本論文は,光電子放射硬化FPGAの劣化測定結果とその性能を改善する方法を提示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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