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J-GLOBAL ID：202002265707221660   整理番号：20A1410915

スパッタ核形成層を有する微斜面サファイア基板上の面から面アニールしたMOVPE成長AlNの結晶品質の改善【JST・京大機械翻訳】

Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer

著者 (7件)： Kuboya Shigeyuki (Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan) ,  Uesugi Kenjiro (Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan) ,  Shojiki Kanako (Graduate School of Engineering, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan) ,  Tezen Yuta (Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan) ,  Norimatsu Kenji (Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan) ,  Miyake Hideto (Graduate School of Engineering, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan) ,  Miyake Hideto (Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 545  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタAlN核形成層(FFA MOSp-AlNテンプレート)を有する面から面アニールした有機金属気相エピタキシー(MOVPE)成長AlNテンプレートを,隣接サファイア基板上に作製した。スパッタされた薄いAlN層は,c軸に良く整列したAlNシードを供給する。比較的厚いAlNによるMOVPE成長は,不純物の低濃度の結晶粒を拡大した。高温での面から面へのアニーリングは再結晶によりAlN膜のねじれ成分を低下させ,低い貫通転位密度を有するAlN膜が形成される。AlNテンプレートの(10-12)X線ロッキングカーブ(XRC)の半値全幅(FWHM)は,MOVPE成長AlN層の厚さが増加するにつれて減少した。オフカット角0.6°の300nm厚さのAlNテンプレートの(0002)および(10-12)XRCのFWHMは,それぞれ9および337arcsecであった。FFA MOSp-AlNテンプレート中のO,Si,およびC不純物の濃度は,面対面焼鈍スパッタAlNテンプレートのものより低かった。UVC LED用のn型AlGaN層として通常用いられるSiドープAl_0.7Ga_0.3N膜を,種々のオフカット角度のFFA MOSp-AlNテンプレート上に成長させた。大きなヒロック形成の抑制により,大きなオフカット角度を有するFFA MOSp-AlNテンプレートを用いて,平滑な平坦な表面を有するAlGaN膜を得た。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *核形成 ,  高温 ,  再結晶 ,  *焼なまし ,  不純物 ,  ドーピング ,  結晶粒 ,  *窒化アルミニウム ,  ねじり変形 ,  ロッキングカーブ ,  *MOCVD ,  *微斜面 ,  FWHM ,  *サファイア基板
準シソーラス用語： ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A_3 有機金属気相エピタクシー ,  B1.窒化物 ,  A1.原子間力顕微鏡 ,  A1.高分解能X線回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： スパッタ ,  核 ,  形成層 ,  微斜面 ,  サファイア基板 ,  アニール ,  MOVPE ,  成長 ,  AlN ,  結晶品質