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J-GLOBAL ID：202002267184553827   整理番号：20A2204542

600°C以下の温度でのAl(BH_4)_3およびMH_3(M=P,As,Sb)のCVDによるヘテロエピタキシャルBPおよび関連Al-B-Sb-As-P膜の合成【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of heteroepitaxial BP and related Al-B-Sb-As-P films via CVD of Al(BH₄)₃ and MH₃ (M=P, As, Sb) at temperatures below 600 °C

著者 (12件)： Sims Patrick (School of Molecular Sciences, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1604, United States of America) ,  Sims Patrick (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1504, United States of America) ,  Wallace Patrick (School of Molecular Sciences, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1604, United States of America) ,  Wallace Patrick (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1504, United States of America) ,  Liu Lei (School for Engineering of Matter Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, United States of America) ,  Liu Lei (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1504, United States of America) ,  Zhuang Houlong (School for Engineering of Matter Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, United States of America) ,  Zhuang Houlong (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1504, United States of America) ,  Kouvetakis J (School of Molecular Sciences, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1604, United States of America) ,  Kouvetakis J (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1504, United States of America) ,  Menendez Jose (School for Engineering of Matter Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, United States of America) ,  Menendez Jose (Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287-1504, United States of America)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 8  ページ： 085034 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ~600°CでのAl(BH_4)_3とPH_3前駆体を用いた低温化学蒸着は,Si上に直接純粋で結晶性のBP膜を生成し,Al取込みの兆候のないZrB_2バッファ層上に直接生成した。ZrB_2上のBP膜は六方晶バッファと立方晶エピ層の間の構造的差異にもかかわらずエピタキシャルである。界面エネルギーの密度汎関数理論計算は,コンプライアント格子整合挙動によるヘテロ接合における強い結合相互作用を明らかにし,ZrB_2上のBPの好ましい集合を裏付けた。成長法の系統的研究を,グループVキャリアガス中のPのAsとSbを置換して行った。Al(BH_4)_3とAsH_3を320°Cで反応させると,少量のAlを有する期待されるBAs膜が得られた。この場合,試料は非晶質であり,成長温度の上昇によってそれらを結晶化させる努力は,ホウ素リッチ類似体をもたらした。300°CでのSi上のSbD_3とAl(BH_4)_3の類似反応は,BSb相の代わりにBをドープしたAlSbエピタキシャル結晶を生成した。これは,プロセスが弱いB-Sb結合上のAl-Sb結合の形成に有利であることを示す。本研究の結果は,Al(BH_4)_3アプローチが,熱および光学技術への応用で有用なBPコーティングを製造するのに有利な実行可能な低温経路を表すことを示した。また,化合物は,対応するP,As,およびSb水素化物と反応させたとき,BP,BA,およびAlSb型材料への興味深い低温経路を表し,各場合,熱力学的に駆動された生成物を生じた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *エピタクシー ,  結晶化 ,  相互作用 ,  低温 ,  *アルミニウム ,  *アンチモン ,  ケイ素 ,  *ヒ素 ,  被覆 ,  非晶質 ,  ドーピング ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  バッファ層

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  Sb ,  CVD ,  BP