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J-GLOBAL ID：202002267778953271   整理番号：20A2648294

アバランシェモード下の並列接続SiC-JFETの電流バランスのためのゲート駆動回路【JST・京大機械翻訳】

Gate drive circuit for current balancing of parallel-connected SiC-JFETs under avalanche mode

著者 (4件)： Takamori Taro (Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Wada Keiji (Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan) ,  Saito Wataru (Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Nishizawa Shin-ichi (Kyushu University, Fukuoka, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,アバランシェモードの下での並列接続SiC-JFETの電流バランスのためのゲート駆動回路を提案した。固体DC遮断器では,電力素子はON抵抗を低減し,電流定格を増加させるために並列に接続しなければならない。さらに,SiC-JFETは伝導損失と長期信頼性の両方の観点から適切なパワーデバイスであることが報告されている。本論文では,並列におけるSiC-JFETの電流バランスの挙動を提示し,次にゲート駆動回路の設計手順を提案した。ゲート駆動回路は,アバランシェモードの下で並列接続SiC-JFETの電流バランス等化を達成できる。提案したゲート駆動回路の妥当性を,1.2kVのSiC-JFETを400Vシステムで用いる実験によって検証する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  遮断器 ,  *炭化ケイ素 ,  定格 ,  等化 ,  *並列接続 ,  *接合形FET ,  *ゲート回路 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 長期信頼性 ,  パワーデバイス ,  *SiC JFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： DC遮断器 ,  SiC-JFET ,  ゲートドライバ ,  アバランシェモード ,  並列接続 ,  電流バランス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 並列接続 ,  SiC ,  JFET ,  バランス ,  ゲート駆動回路