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J-GLOBAL ID：202002267868033522   整理番号：20A2501585

280nm AlGaN LED応用のためのp電極構造の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of p-electrode structures for 280 nm AlGaN LED applications

著者 (8件)： Chang Kai-Ping (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China) ,  Jheng Jhih-Yuan (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China) ,  Huang Shih-Yung (Department of Industrial Engineering and Management, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan, Republic of China) ,  Wang Wei-Kai (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan, Republic of China) ,  Horng Ray-Hua (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan, Republic of China) ,  Wuu Dong-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China) ,  Wuu Dong-Sing (Innovation and Development Center of Sustainable Agriculture, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, Republic of China) ,  Wuu Dong-Sing (i-Center for Advanced Science and Technology, National Chung Hsing University 40227, Taiwan, Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 10  ページ： 105023 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 280nmの発光波長を有するAlGaN深紫外発光ダイオード(DUV LED)のためのNi/Au/p+-GaN p-電極の改良を,p-サイドアップとフリップチップ構造の両方のために提案した。交差指型マルチフィンガーNi/Auを,p-サイドアップDUV LEDで採用し,p-GaN接触層を,重大な電流-クローディング効果なしに,光抽出効率を改善するために部分的に除去した。9-および12-フィンガーLEDは,より高い熱放散およびより低い表面温度を有し,理論的シミュレーションと良く相関した。pサイドアップ発光LEDの比較では,9フィンガーLEDの出力パワーは350mAの電流注入で従来のLEDよりも172%高かった。最適p電極パターンをフリップチップLED構造に適用した。350mAでの9フィンガーフリップチップLEDの出力パワーは,従来のフリップチップLEDよりも14.6%高いことが分かった。1.05%の壁-プラグ効率を有する9-フィンガーフリップチップLEDのより高い出力パワーは,部分p+-GaN吸収層の適度な除去を通して,改善された電流広がり経路とより高い反射の組合せに起因した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電流 ,  熱放射 ,  発光 ,  波長 ,  プラグ ,  フリップチップ法 ,  *窒化ガリウム ,  表面温度
準シソーラス用語： 電流注入 ,  電極構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  光取出し効率 ,  深紫外発光ダイオード ,  チップ型LED素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  LED応用 ,  電極構造