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J-GLOBAL ID：202002268270343229   整理番号：20A2501591

最適化Al_0.12Ga_0.88N電子ブロッキング層を用いたInGaN系レーザダイオードにおける効率増強【JST・京大機械翻訳】

Efficiency enhancement in InGaN-based laser diodes using an optimized Al_0.12Ga_0.88N electron blocking layer

著者 (6件)： Sandhu Harmanpreet Kaur ( Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Sandhu Harmanpreet Kaur ( Solid State Physics Laboratory, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Sharma Abhishek ( Solid State Physics Laboratory, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Jain Alok ( Solid State Physics Laboratory, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Jain Alok ( Centre for Personnel Talent Management, Metcalfe House, Delhi 110054, India) ,  Das Samaresh ( Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 10  ページ： 105017 (12pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,InGaNベースレーザダイオードの壁プラグ効率を高めるために,電子ブロッキング層(EBL)の設計を提案した。較正した3Dシミュレーション(熱モデルを含む)を用いて,EBLの種々の設計側面(組成,厚さおよびp-ドーピング)の包括的な解析を実施し,キャリア(電子および正孔)波動関数の重なりと,p側導波路/EBLの界面における空間電荷密度,電場および自由キャリア吸収(FCA)と共に量子井戸(QW)における再結合速度を刺激した。結果は,Poole-Frenkel発光が,エピタキシャル構造のp-ドープ層におけるFCAの考慮に不可欠であることを示した。その結果,提案したEBL設計は電子オーバフローを低減し,正孔注入を改善し,内部吸収損失を低減し,デバイスの内部量子効率を高めた。基準構造と比較して,閾値電流は230mAから205mAに減少した。正孔障壁は23.93%減少した。したがって,出力電力は1.746Wから1.95Wに増加し,電圧降下とデバイス温度は減少した。これらの改善は,参照構造の37.4%から提案した構造(バイアス電流1Aに相当する)で42.1%まで効率を高める。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  界面 ,  *最適化 ,  正孔 ,  電場 ,  発光 ,  波動関数 ,  *半導体レーザ ,  ドーピング ,  プラグ ,  量子井戸 ,  導波路
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  *InGaN ,  正孔注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 最適化 ,  電子ブロッキング層 ,  InGaN ,  レーザダイオード ,  増強