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J-GLOBAL ID:202002269968902213   整理番号:20A1885806

相補型急勾配トンネル電界効果トランジスタ回路に及ぼすスイッチング電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Switching Voltage on Complementary Steep-Slope Tunnel Field Effect Transistor Circuits
著者 (7件):
資料名:
巻: 67  号:ページ: 3876-3882  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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静的および動的回路におけるエネルギー消費に及ぼす非常に小さいサブ閾値スイングを有する二層トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のスイッチング電圧の影響を,本研究で調査した。0.3Vの動作電圧下のTFET回路シミュレーションを集積回路強調(SPICE)によるシミュレーションプログラムによって行い,デバイスシミュレーションによって計算したn-およびp-チャネル二層TFETの電気特性を紹介した。インバータの静的シミュレーションは,ドレイン電流10SiW-{11}|A/μm,0.08Ω≦0.14Vでのゲート電圧として定義されるOFF状態電圧(V_SiW_OFF)}の調整が,短絡電流を抑制するのに有効であることを明らかにした。対照的に,TFETのV_OFFがV_OFF調整の通常の方法に従って0Vに近いとき,TFETインバータのエネルギー消費は短絡漏れ電流のために著しく増加する。11段リング発振器(RO)の動的シミュレーションから,このV_OFF調整の結果として,TFET ROのエネルギー消費は,遅延時間の増加の小さい費用での漏れ電流の減少のため,相補的な金属潤滑酸化物型半導体(CMOS)ROよりも,高い負荷容量の下で同等か,低いか,または,低い負荷容量の下では,同等であるか,または,低い負荷容量の下で,さらに低いか,そして,それは,遅れ時間における増加の小さいコストで,同程度であるか,または,さらに低いかを,明らかにします。”そのことを,このV_OFF調整の結果として,そのTFET ROのエネルギー消費は,同等である。V_OFF調整に関する現在の検査は,TFETだけでなく,将来の低電力インターネット(IoT)応用のための他の急勾配スイッチングデバイスに対しても,デバイス設計の新しい指針を提供できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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