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J-GLOBAL ID：202002270452923067   整理番号：20A0333802

アノード選択フッ素処理による高性能準垂直GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

High-performance quasi-vertical GaN Schottky barrier diode with anode selective fluorine treatment

著者 (12件)： Chen Jiabo (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Bian Zhaoke (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Liu Zhihong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Ning Jing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Duan Xiaoling (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhao Shenglei (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Wang Haiyong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Tang Qing (Chengdu Yaguang Electronics Co., Ltd., Chengdu 610000, People’s Republic of China) ,  Wu Yinhe (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Song Yuqin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 34  号： 11  ページ： 115019 (6pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,平面陽極選択的フッ素処理(SFT)を用いたサファイア基板上の高性能GaN準垂直Schottky障壁ダイオード(SBD)について報告する。アノードSFS-SBDによる提示SBDは,2kA cm-2以上の大きな順方向電流密度と0.49mΩcm2の低い微分比オン抵抗を示した。従来のSBDと比較して,SFT-SBDの漏れ電流は4桁以上抑制され,絶縁破壊電圧(BV)は78から145Vに劇的に改善されたが,オン状態性能の厳しい劣化はなかった。シミュレーション結果は,アノードSFTが逆バイアスにおける漏れ電流の経路を効果的に減少させることができることを示し,その結果,抑制された漏れ電流がBVを強化した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フッ素添加 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  微分 ,  オン抵抗 ,  シミュレーション ,  *ダイオード ,  漏れ電流 ,  *アノード ,  電流密度
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  オン状態 ,  絶縁破壊電圧 ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： アノード ,  フッ素処理 ,  垂直 ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード