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J-GLOBAL ID：202002270733450769   整理番号：20A1056908

PVT成長4H-SiC結晶における基底面転位分布と局所基底面曲げとの関係【JST・京大機械翻訳】

Relationship Between Basal Plane Dislocation Distribution and Local Basal Plane Bending in PVT-Grown 4H-SiC Crystals

著者 (7件)： Ailihumaer Tuerxun (Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA) ,  Peng Hongyu (Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA) ,  Raghothamachar Balaji (Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA) ,  Dudley Michael (Department of Materials Science and Chemical Engineering, Stony Brook University, Stony Brook, NY, USA) ,  Chung Gilyong (Compound Semiconductor Solutions, Dupont Electronics and Imaging, Auburn, MI, USA) ,  Manning Ian (Compound Semiconductor Solutions, Dupont Electronics and Imaging, Auburn, MI, USA) ,  Sanchez Edward (Compound Semiconductor Solutions, Dupont Electronics and Imaging, Auburn, MI, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 6  ページ： 3455-3464  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 内部応力によるPVT成長4H-SiC結晶ブールにおける基底面転位(BPDs)の不均一分布は格子面曲げを引き起こし,これはSiCベースのデバイス作製に強く影響する。6インチ4H-SiC基板におけるBPDと局所基底面曲げの間の関係を調べた。シンクロトロン単色ビームX線トポグラフィー(SMBXT)イメージングは,光線追跡の原理に基づく逆符号のBurgersベクトルを持つBPDsの黒色と白色コントラストを示す。同じ及び異なるブールからスライスした多重6インチ直径4H-SiC基板を横切るSi面上の[11[数式:原文を参照]0]及び[1[数式:原文を参照]00]半径方向に沿ったBPDの正味差を評価し,これらのウエハにおける基底面の性質(凹/凸)及び曲げ量を予測した。これらのウエハにおける曲げの性質を検証するために,二つの方向に沿って高分解能X線回折(HRXRD)を用いた808反射の線走査を行った。結果は,[11[数式:原文を参照]0]と[1[数式:原文を参照]00]方向に沿った非常に異なる曲げ挙動を示し,6インチ基板のSi面が基底面上に非等方性曲げを形成することを示した。これらの観測は正味のBPD密度解析と非常に良く相関した。ウエハの物理的形状も表面効果により平坦でないと測定した。SMBXTデータに基づく基底面曲げの程度の定量的解析を行い,HRXRDから測定した傾斜角と良く相関することを見出した。6インチウエハの一つに高応力中心の存在が観察され,これは大きな曲げ角度と格子定数aとcの急激な変化の両方に関連する厳しい曲げをもたらした。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線トポグラフィー ,  格子定数 ,  コントラスト ,  シンクロトロン ,  内部応力 ,  *ケイ素 ,  *転位分布 ,  *炭化ケイ素 ,  画像処理 ,  定量的分析 ,  多重化 ,  Burgersベクトル ,  光線追跡
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  単色 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 4H-SiC基板 ,  底面曲げ ,  基底面転位 ,  光線追跡シミュレーション ,  シンクロトロンX線トポグラフィー ,  HRXRD

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： PVT ,  成長 ,  4H-SiC ,  結晶 ,  基底面転位 ,  分布 ,  基底面 ,  曲げ