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J-GLOBAL ID：202002272645948218   整理番号：20A0566799

高圧合成SnN_xの電子構造

著者 (12件)： 前口景祐 (名大 院) ,  布川徳之 (名大 院) ,  堀田勇人 (名大 院) ,  加藤政彦 (名大 院) ,  曽田一雄 (名大 院) ,  曽田一雄 (名大 SR) ,  曽田一雄 (あいちSR) ,  稲垣智哉 (名大 院) ,  丹羽健 (名大 院) ,  長谷川正 (名大 院) ,  池本夕佳 (JASRI) ,  入澤明典 (大阪大 産科研)
資料名： 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web)  (日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集(Web))
巻： 32nd  ページ： ROMBUNNO.10P026 (WEB ONLY)  発行年： 2019年01月09日 
JST資料番号： U1891A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学合成 ,  スズ化合物 ,  窒化物 ,  *電子構造 ,  ダイヤモンドアンビル ,  放射光施設 ,  *光学定数 ,  密度汎関数法 ,  交換相互作用 ,  誘電関数 ,  化合物半導体 ,  反射率 ,  SPring-8 ,  高圧合成 ,  *赤外反射スペクトル ,  赤外顕微分光法
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 ,  改良Becke-Johnson交換ポテンシャル ,  顕微赤外分光法 ,  *窒化スズ

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高圧合成 ,  電子構造