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J-GLOBAL ID：202002272686404148   整理番号：20A0634386

原子層堆積により作製した結晶シリコン上のTiOの不動態化性能に及ぼす水素プラズマ処理の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiO on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition

著者 (7件)： Miyagawa Shinsuke (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Gotoh Kazuhiro (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Ogura Shohei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Wilde Markus (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Kurokawa Yasuyoshi (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Fukutani Katsuyuki (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Usami Noritaka (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38  号： 2  ページ： 022410-022410-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積により作製した結晶シリコン(c-Si)上の酸化チタン(TiO_x)の不動態化性能に及ぼす水素プラズマ処理(HPT)の効果を報告した。最近,TiO_xは,その好ましい仕事関数とバンドラインアップにより,シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池用の電子選択接触材料として注目されている。さらに,TiO_xは,その大きなバンドギャップエネルギーのため,優れた光透過特性を有した。TiO_xによるSHJ太陽電池の電力変換効率を改善するために,不動態化性能を強化することが必要である。不動態化性能を表す有効キャリア寿命はHPTにより強化され,200°C,1分間のHPT後に407.2μsに達した。この値は,形成ガスアニーリングの後の2倍であり,それは,TiO_x/c-Siヘテロ構造の不動態化性能を強化するための標準的方法である。核反応分析は,HPT処理試料のTiO_x/c-Si界面における水素濃度(C_H)が蒸着試料のそれより高く,C_H分布のピーク位置がHPT後のTiO_x/c-Siヘテロ界面に近くシフトすることを明らかにした。さらに,熱脱着分光法は,Si-HとSi-H_2水素結合がHPTと共に増加することを示した。これらの結果は,水素プラズマによって生成された原子状水素が,TiO_x/c-Si界面に向かって拡散し,局所ダングリングボンドを終端することを示している。これは,改善された不動態化性能の原因である。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  透光性 ,  *不動態化 ,  ダングリングボンド ,  核反応分析 ,  キャリア寿命 ,  熱脱着 ,  蒸着 ,  接点材料 ,  水素結合 ,  酸化チタン ,  太陽電池 ,  仕事関数 ,  界面
準シソーラス用語： *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  作製 ,  結晶シリコン ,  不動態化 ,  水素プラズマ