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J-GLOBAL ID：202002272704250957   整理番号：20A2386712

リン取込によるホットフィラメント化学蒸着成長によるダイヤモンドのn型ドーピング【JST・京大機械翻訳】

n-Type doping of diamond by hot-filament chemical vapor deposition growth with phosphorus incorporation

著者 (7件)： Katamune Yuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Mori Daichi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Arikawa Daisuke (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Izumi Akira (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Shimaoka Takehiro (Electric and Electronic Materials Field, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Ichikawa Kimiyoshi (Electric and Electronic Materials Field, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Koizumi Satoshi (Electric and Electronic Materials Field, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 11  ページ： 879  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (111)配向ダイヤモンド上のn型半導体ダイヤモンド膜のエピタキシャル成長を,メタン源とトリメチルホスフィンドーパント源を用いた熱フィラメント化学蒸着(HFCVD)によって達成した。二次イオン質量分析は,リン原子が気相から1018~1019cm-3の濃度範囲で膜中に取り込まれることを示した。Hall効果測定は873Kまでの広い温度範囲でn型伝導率を確認した。電子は,フィラメントから約1018cm-3の濃度のタングステン原子の存在下で支配的なキャリアとして約0.57eVのリンドナーレベルから熱的に活性化される。これらの結果は,HFCVDが1018cm-3以下のリン濃度範囲でダイヤモンド電子デバイスを作製するためのn型ドーピングプロセスに適用する可能性を有することを示す。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall効果 ,  ドナー ,  *ダイヤモンド ,  タングステン ,  *リン ,  N型半導体 ,  *化学蒸着 ,  気相 ,  アルカン
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  HFCVD ,  電子素子 ,  ダイヤモンド膜 ,  伝導率 ,  *n型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  n型ドーピング ,  熱フィラメントCVD ,  Hall効果 ,  二次イオン質量分析

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (7件)： リン ,  取込 ,  フィラメント ,  化学蒸着 ,  成長 ,  ダイヤモンド ,  n型ドーピング