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J-GLOBAL ID：202002272997162268   整理番号：20A0950897

低温TSVライナー形成のためのオゾン-エチレンラジカル生成-TEOS-CVD SiO_2に及ぼす堆積温度とアニーリング条件の影響【JST・京大機械翻訳】

Impacts of Deposition Temperature and Annealing Condition on Ozone-Ethylene Radical Generation-TEOS-CVD SiO₂ for Low-Temperature TSV Liner Formation

著者 (8件)： Liang Rui (Graduate School of Biomedical Engineering, Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Lee Sungho (Graduate School of Biomedical Engineering, Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Miwa Yuki (Graduate School of Biomedical Engineering, Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Kumahara Kousei (Graduate School of Biomedical Engineering, Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Mariappan Murugesan (New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Kino Hisashi (Frontier Research Institute for Interdisciplinary Sciences, Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Fukushima Takafumi (Graduate School of Engineering& New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Tanaka Tetsu (Graduate School of Biomedical Engineering;, Graduate School of Engineering, Tohoku University,Sendai,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： 3DIC  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンビア(TSV)は,3D統合のためのキー技術の1つである。マルチチップ-ウエハ(MCTW)プロセスにおけるTSVライナ形成のための高温プロセスによって引き起こされた問題を解決するために,著者らは,OER(オゾン-エチレンラジカル発生)-TEOS-CVD(R)と呼ばれる低温SiO_2堆積法を適用した。本研究では,150°C,室温(RT)でOER-TEOS-CVD(R)により蒸着したTSVライナを用いてMISキャパシタを作製し,200°Cでの従来のプラズマ増強化学蒸着(PE-CVD)により形成された被覆率と電気特性を比較した。さらに,FTIRとシンクロトロンXPSにより,これらのSiO_2ライナーを分析した。これらの結果は,OER-TEOS-CVD(R)が高信頼性TSVを実現するための高い可能性を有し,3D集積化における種々のプロセスに適用できることを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  シンクロトロン ,  *低温 ,  *オゾン ,  *ライナ ,  電気特性 ,  三次元 ,  プラズマCVD ,  被覆率 ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： シリコン貫通ビア ,  高信頼性 ,  三次元集積化 ,  *一酸化ケイ素 ,  ラジカル生成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低温 ,  TSV ,  ライナー ,  オゾン ,  エチレン ,  ラジカル生成 ,  TEOS ,  CVD ,  堆積 ,  アニーリング条件