文献

J-GLOBAL ID：202002273467673164   整理番号：20A0982349

水素化非晶質炭素膜の気相及び膜分析 sp2炭素構造に及ぼすイオン衝撃エネルギーフラックスの影響【JST・京大機械翻訳】

Gas-phase and film analysis of hydrogenated amorphous carbon films: Effect of ion bombardment energy flux on sp² carbon structures

著者 (11件)： Sugiura Hirotsugu (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ohashi Yasuyuki (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ishikawa Kenji (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Kondo Hiroki (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Kato Toshiaki (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Aoba 6-6-05, Aramaki, Aoba-Ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Kaneko Toshiro (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Aoba 6-6-05, Aramaki, Aoba-Ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Takeda Keigo (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Shiogamaguchi, Tempaku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Tsutsumi Takayoshi (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Hayashi Toshio (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Sekine Makoto (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Hori Masaru (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8601, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 104  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質炭素(a-C:H)膜は,sp3マトリックス中のsp2結合炭素のナノクラスタ化グラファイト(NC-G),縮合芳香環(nR)およびオレフィン鎖クラスタ(nC)から成る。本研究では,a-C:H膜中のNC-G,nR及びnCのsp2組成をイオン衝撃エネルギー束(Γ_Ei)により決定し,Hラジカル注入法によるH_2及びCH_4ガスのプラズマ混合物を用いたプラズマ増強化学蒸着におけるイオン衝撃エネルギー及びイオンフラックスの生成物と推定した。sp2組成をRaman分光法と近吸収端X線吸収構造分光法を用いて分析した。a-C:HはΓ_Eiの増加と共にますます黒鉛化した。sp2C構造組成の正確な制御は,イオン束とイオン衝撃エネルギーにより,超高周波入力パワーと高周波入力バイアスパワーを制御することにより達成できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  ラジカル ,  黒鉛化 ,  *水素化 ,  グラファイト ,  SHF【周波数】 ,  *非晶質 ,  クラスタ ,  *イオン衝突 ,  *気相 ,  プラズマCVD ,  Raman分光法 ,  ナノクラスタ
準シソーラス用語： *アモルファスカーボン ,  *炭素膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 非晶質炭素 ,  プラズマ増強化学蒸着(PECVD) ,  Raman分光法 ,  近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素化 ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  気相 ,  分析 ,  炭素 ,  イオン衝撃 ,  エネルギーフラックス