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J-GLOBAL ID：202002277759568954   整理番号：20A0176184

イリジウム熱線触媒上に生成したHラジカルを用いた酸素添加量とフォトレジスト除去速度の関係

Relationship between Oxygen Additive Amount and Photoresist Removal Rate Using H Radicals Generated on an Iridium Hot-Wire Catalyst

著者 (7件)： Yamamoto Masashi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Shiroi Tomohiro (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Shikama Tomokazu (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Nagaoka Shiro (Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Umemoto Hironobu (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University) ,  Umemoto Hironobu (Department of Applied Chemistry and Bioengineering, Graduate School of Engineering, Osaka City University) ,  Horibe Hideo (Department of Applied Chemistry and Bioengineering, Graduate School of Engineering, Osaka City University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology (Web)  (Journal of Photopolymer Science and Technology (Web))
巻： 32  号： 4  ページ： 609-614(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U2132A  ISSN： 1349-6336  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温イリジウム触媒上で水素と酸素の混合物の分解よって生成するラジカルを用いた,環境に優しいフォトレジスト除去法を研究した。著者らは以前に,タングステン熱線触媒を用いて水素流へ酸素ガスを添加することにより,フォトレジストの分解が促進されることを報告した。酸素添加量が約1.0%までは速度が増加し,その後徐々に減少した。この減少は,乏しい酸化抵抗性のために,触媒表面上のO原子が触媒被毒することによって引き起こされる。本研究では,触媒毒のない酸素添加が分解速度を増加させるのに有効であることを示した。この被毒はIr触媒を用いることによって避けることができる。分解速度は基板温度と共に増加した。また,添加酸素量を1.0%まで増加すると速度は急速に増加し,その後増加はより緩やかになった。OHラジカルは分解反応を促進するために重要な役割を果たす可能性がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *除去 ,  ラジカル ,  水素 ,  酸素化 ,  遷移金属触媒 ,  速度 ,  *分解反応 ,  触媒毒 ,  ヒドロキシルラジカル ,  *ラジカル反応 ,  グリーンケミストリー ,  水素ラジカル ,  イリジウム触媒 ,  熱線 ,  環境管理 ,  管理 ,  環境保全
準シソーラス用語： *フォトレジスト除去 ,  酸素添加 ,  熱線触媒 ,  イリジウム熱線触媒 ,  除去速度 ,  被毒 ,  触媒被毒 ,  OHラジカル ,  *ラジカル分解反応 ,  環境にやさしい化学

著者キーワード (5件)： フォトレジスト ,  除去 ,  ラジカル ,  酸素添加 ,  Ir熱線触媒

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A)

引用文献 (23件)：

• 1. H. Morinaga, T. Futatsuki, T. Ohmi, E. Fuchita, M. Oda, and C. Hayashi, J. Electrochem. Soc., 142 (1995) 966.
• 2. K. Hirose, H. Shimada, S. Shimomura, M. Onodera, and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 141 (1994) 192.
• 3. M. A. Worsley, S. F. Bent, N. C. M. Fuller, and T. Dalton, J. Appl. Phys., 100 (2006) 083301.
• 4. K. Shinagawa, H. Shindo, K. Kusaba, T. Koromogawa, J. Yamamoto, and M. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) 5856.
• 5. S. Fujimura and H. Yano, J. Electrochem. Soc., 135 (1988) 1195.

タイトルに関連する用語 (7件)： イリジウム ,  熱線 ,  触媒 ,  ラジカル ,  酸素添加 ,  フォトレジスト ,  除去速度