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J-GLOBAL ID：202002278018000672   整理番号：20A0980606

Cl_3SiSi(CH_3)_3蒸気におけるSi:_2p光イオン化に続くAuger崩壊中のサイト特異性の減少:原子間Coulomb崩壊様過程【JST・京大機械翻訳】

Site-specificity reduction during Auger decay following Si:2p photoionization in Cl₃SiSi(CH₃)₃ vapor: An interatomic-Coulombic-decay-like process

著者 (3件)： Nagaoka Shin-ichi (Department of Chemistry, Faculty of Science and Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Matsuyama 790-8577, Japan) ,  Takahashi Osamu (Department of Chemistry, Graduate School of Science, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima 739-8511, Japan) ,  Hikosaka Yasumasa (Institute of Liberal Arts and Sciences, University of Toyama, Toyama 930-0194, Japan)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 534  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cl_3SiSi(CH_3)_3蒸気におけるSi:2p内殻準位光イオン化によって引き起こされたL_23VV Auger減衰を,光電子Auger電子コインシデンス分光法によって研究した。Si:2p光イオン化により,Cl_3Si(CH_2)_n Si(CH_3)_3(n=0~2)は,シリコンサイトにより識別可能な二つのコア-光電子放出を示した。長いサイト間架橋を有するCl_3SiCH_2CH_2Si(CH_3)_3(n=2)などは,最初のコアイオン化シリコンサイトを再構成し,部位特異的フラグメンテーションを示す。対照的に,直接的なSiSi結合(n=0)を有するCl_3SiSi(CH_3)_3は,最初のコアイオン化シリコンサイトを忘れ,最終的なフラグメンテーション段階において無視できるサイト特異性を示す。Cl_3SiSi(CH_3)_3におけるサイト特異性の減少は,Si:L_23VV Auger減衰中に始まり,その還元過程は原子間Coulomb減衰様機構により説明できる。サイト間エネルギーのランダム化によって引き起こされるもう一つのサイト特異性の減少は,すべてのSi:L_23V_V Auger減衰の後に起こる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン化 ,  光電子放出 ,  *光イオン化 ,  *ケイ素 ,  再構成 ,  フラグメンテーション ,  内殻準位 ,  光電子
準シソーラス用語： Auger電子 ,  特異性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 部位特異的フラグメンテーション ,  Si含有分子 ,  内殻準位光イオン化 ,  光電子Auger電子コインシデンス分光法 ,  原子間Coulomb崩壊

分類 (5件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A) ,  有機けい素化合物  (CF08030C) ,  塩  (CD01050V) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 蒸気 ,  Si ,  光イオン化 ,  崩壊 ,  特異性 ,  原子 ,  Coulomb ,  過程