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J-GLOBAL ID：202002278535231775   整理番号：20A2648262

不揮発性メモリ技術のための新しい垂直MOSトランジスタに関するACストレス信頼性研究【JST・京大機械翻訳】

AC stress reliability study on a novel vertical MOS transistor for non-volatile memory technology

著者 (8件)： Locati J. (STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France) ,  Locati J. (Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France) ,  Della Marca V. (Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France) ,  Rivero C. (STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France) ,  Fornara P. (STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France) ,  Regnier A. (STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France) ,  Niel S. (STMicroelectronics, 190 avenue Celestin Coq, 13106 Rousset, France) ,  Coulie K. (Aix-Marseille University, CNRS, IM2NP UMR 7334-F, 13997 Marseille, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非揮発性メモリ(NVM)技術で使用するように設計した新しい高電圧垂直トレンチMOSトランジスタを提案した。Hugeハンプ効果は,AC応力中に観察されるいくつかの現象を説明する。準静的測定は,この垂直トレンチMOSトランジスタがNVM環境での使用に適していることを示した。最後に,AC応力信頼性結果は,寄生と主トランジスタの両方の著しい不安定性を示した。理解はTCADシミュレーションで裏付けられた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *トランジスタ ,  *信頼性 ,  *MOSFET ,  不安定性 ,  *不揮発性メモリ
準シソーラス用語： TCAD ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性メモリ ,  垂直 ,  MOSトランジスタ ,  Ac ,  ストレス ,  研究