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J-GLOBAL ID:202002278752364275   整理番号:20A2017633

シリコンナノワイヤマイクロ熱電発電機の発電に及ぼす金属/誘電体熱伝導層の熱境界抵抗の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of the Thermal Boundary Resistance in Metal/Dielectric Thermally Conductive Layers on Power Generation of Silicon Nanowire Microthermoelectric Generators
著者 (12件):
資料名:
巻: 12  号: 30  ページ: 34441-34450  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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マイクロ熱電発電機(μTEGs)において,寄生熱抵抗は,最適発電のための熱電対の温度差を増加させるために抑制しなければならない。熱伝導(TC)層は,典型的にμTEGsで使用され,熱源から各熱電対のホットジャンクションへの熱流をガイドする。本研究では,シリコンナノワイヤ(SiNW)μTEGの発電に及ぼす金属/誘電体TC層における熱境界抵抗(TBR)の影響を調べた。種々の金属,接着および誘電体層を用いて種々の金属/接着/誘電体TC層を調製し,周波数領域熱反射法を用いて熱抵抗を測定した。熱抵抗は,主に金属/誘電体界面のTBRにより著しく異なることを見出した。界面特性化は,TBRにおける界面結合強度と相互拡散の重要な役割を強調した。TC層の熱抵抗が低くなると,発電が著しく増加したので,異なるTC層を有するプロトタイプSiNW-μTEGを作製した。本研究は,界面での熱輸送の根底にある物理を理解し,効果的なエネルギー収穫のための発電を増強するためのμTEGの設計と製作のための指針を提供する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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熱電デバイス  ,  比熱・熱伝導一般 
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