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J-GLOBAL ID：202002279080114351   整理番号：20A2238698

プラズマ原子層堆積法で300°C低温形成した強誘電体Hf_xZr_1-xO₂薄膜の疲労特性

Endurance property of low-temperature (300 °C)-fabricated ferroelectric Hf_xZr_1-xO₂ thin films using plasma-enhanced atomic layer deposition

著者 (15件)： 女屋崇 (明治大) ,  女屋崇 (テキサス大 ダラス校) ,  女屋崇 (物質・材料研究機構) ,  女屋崇 (日本学術振興会) ,  生田目俊秀 (物質・材料研究機構) ,  JUNG Y. C. (テキサス大 ダラス校) ,  HERNANDEZ-ARRIAGA H. (テキサス大 ダラス校) ,  MOHAN J. (テキサス大 ダラス校) ,  KIM H. S. (テキサス大 ダラス校) ,  KHOSRAVI A. (テキサス大 ダラス校) ,  澤本直美 (明治大) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構) ,  WALLACE R. M. (テキサス大 ダラス校) ,  KIM J. (テキサス大 ダラス校) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A303-9  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】HfxZr1-xO2(HZO)薄膜は、強誘電体メモリへ向けた候補材料として検討されているが、疲労による分極特性の劣化が問題とされている。[1]前回の応物にて、プラズマ原子層堆積(PE-ALD)法によるHZO膜は、300°Cの低温度...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  *強誘電体 ,  結晶粒界 ,  コンデンサ ,  *プラズマ ,  電場 ,  *薄膜 ,  分極 ,  酸素 ,  強誘電性 ,  漏れ電流 ,  結晶粒 ,  薄膜成長 ,  分極反転
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  原子層堆積法 ,  低温形成 ,  強誘電体 ,  薄膜 ,  疲労特性