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J-GLOBAL ID：202002279231972405   整理番号：20A1070509

トリス(ジメチルアミノ)シラン前駆体を用いたプラズマ増強原子層堆積のための金属酸化物下層の電気陰性度におけるSiO_2成長速度と差の間の相関【JST・京大機械翻訳】

Correlation between SiO₂ growth rate and difference in electronegativity of metal-oxide underlayers for plasma enhanced atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane precursor

著者 (7件)： Maeda Erika (Shibaura Institute of Technology, 3-7-5 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Nabatame Toshihide (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Hirose Masafumi (Shibaura Institute of Technology, 3-7-5 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-8548, Japan) ,  Inoue Mari (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohi Akihiko (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ikeda Naoki (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Kiyono Hajime (Shibaura Institute of Technology, 3-7-5 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-8548, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38  号： 3  ページ： 032409-032409-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリス(ジメチルアミノ)シラン前駆体とO_2プラズマガスを用いたプラズマ増強原子層蒸着(ALD)による種々の金属-酸化物(M-O)下層上のSiO_2膜の成長速度を系統的に調べ,ALD-SiO_2成長機構に及ぼすM-O下層の電気陰性度の違いの影響も論じた。HfO_2,TiO_2,Al_2O_3,およびSiO_2下層におけるALD-SiO_2膜厚のすべてのデータは,ALDサイクルの関数として線形関係を満たした。ALD-SiO_2膜のサイクル当たりの成長(GPC)値は以下の順に増加した:SiO_2(0.043nm/サイクル)<Al_2O_3(0.14)<TiO_2(0.17)<HfO_2(0.22)。一方,M-O下地層中の酸素原子の負電荷濃度は,Si-O(1.76eV)<Al-O(2.03)<Ti-O(2.18)<Hf-O(2.27)の順に高くなる。これは,M-O下層のSi,Al,Ti,Hf,O元素間の電気陰性度差に起因する。ALD-SiO_2膜のGPCとM-O下層の電気陰性度の差の間の相関も決定した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プラズマ ,  *酸化物 ,  *金属酸化物 ,  *電気陰性度 ,  線形性 ,  膜厚 ,  *前駆体 ,  負電荷 ,  *下層 ,  *成長速度
準シソーラス用語： 下地層 ,  酸素原子 ,  プラズマガス ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： トリス(ジメチルアミノ)シラン

タイトルに関連する用語 (9件)： シラン前駆体 ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積 ,  金属酸化物 ,  下層 ,  電気陰性度 ,  成長速度 ,  相関