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J-GLOBAL ID：202002279317614040   整理番号：20A2392377

注入とアニーリングによる4H-SiCの結晶反りと膨潤の間の相関【JST・京大機械翻訳】

Correlation between crystal warpage and swelling of 4H-SiC through implantation and annealing

著者 (6件)： Ishiji Kotaro (Kyushu Synchrotron Light Research Center, 8-7 Yayoigaoka, Tosu, Saga 841-0005, Japan) ,  Sato Kiichi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Fujii Takashi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Araki Tsutomu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Mouri Shinichiro (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Sugie Ryuichi (Toray Research Center, Inc., 3-3-7 Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 10  ページ： 105008 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面に非注入と注入領域の両方を有する注入4H-SiCの結晶反りと膨潤を白色光干渉計を用いて調べた。約30°Cの注入温度を有するSiC試料において,反りは小さく,膨潤のための非注入/注入界面でのステップは大きかった。対照的に,300°C以上の注入温度のSiC試料は大きな反りと小さな界面ステップを有した。x線トポグラフでは,低温で注入されたSiCでは,界面での回折は観察されなかった。しかし,高温で注入されたSiCは界面で回折を示した。界面での回折は,非注入領域と注入領域の間の格子結合の証拠である。界面格子結合は,結晶反りと注入SiCの膨潤の間の相関を一貫して説明できる。焼鈍後,結晶回復が発達し,反りと膨潤がすべての試料で初期状態に戻った。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  高温 ,  *焼なまし ,  低温 ,  *膨潤 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 注入 ,  アニーリング ,  4H-SiC ,  結晶 ,  反り ,  膨潤 ,  相関