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J-GLOBAL ID：202002280802904609   整理番号：20A2247214

窒化けい素の低周波数プラズマ増強化学蒸着を用いた一段階ドライプロセスによるGaAs表面不動態化の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanisms of GaAs surface passivation by a one-step dry process using low-frequency plasma enhanced chemical deposition of silicon nitride

著者 (5件)： Richard Olivier (Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2) - CNRS UMI-3463 Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Universite de Sherbrooke, 3000 Boulevard Universite, Sherbrooke J1K OA5 Quebec, Canada) ,  Blais Sonia (Centre de Caracterisation des Materiaux (CCM), Universite de Sherbrooke, 2500 Boulevard de l’Universite, Sherbrooke, J1K 2R1 Quebec, Canada) ,  Ares Richard (Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2) - CNRS UMI-3463 Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Universite de Sherbrooke, 3000 Boulevard Universite, Sherbrooke J1K OA5 Quebec, Canada) ,  Aimez Vincent (Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2) - CNRS UMI-3463 Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Universite de Sherbrooke, 3000 Boulevard Universite, Sherbrooke J1K OA5 Quebec, Canada) ,  Jaouad Abdelatif (Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2) - CNRS UMI-3463 Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Universite de Sherbrooke, 3000 Boulevard Universite, Sherbrooke J1K OA5 Quebec, Canada)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 233  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V材料は,フォトニックおよび電子デバイスの性能を低下させるそれらの高い表面状態密度のために知られている。Si_xN_yのプラズマ増強化学蒸着は,表面状態を不動態化し,III-Vデバイスと回路をカプセル化するために一般的に使用される。プラズマはRF励起源で発生され,通常,13.56MHzの高周波でセットされる。高品質III-V/Si_xN_y界面を得るためには,堆積前に多くの化学表面処理が必要であり,堆積後熱アニーリングも必要である。本研究では,低周波数プラズマが,湿式化学前処理や堆積後アニーリングなしで,Si_xN_yの簡単な堆積により,効率的な不動態化プロセスを可能にすることを実証した。この乾燥プロセスは,完成したIII-Vデバイスと回路の不動態化とカプセル化とより互換性がある。90kHzの周波数でGaAs上にSi_xN_yを堆積して金属-絶縁体-半導体キャパシタを作製した。CV測定は,Fermi準位のピンニングと,中間1011cm-2eV-1範囲の表面状態の低密度を示した。X線光電子スペクトルは,自然酸化物の完全な抑制とGaAs表面からの元素ヒ素の重要な還元を示した。Si_xN_yの低周波プラズマ蒸着に固有のイオン水素衝撃による表面不動態化の機構を考察した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  コンデンサ ,  *プラズマ ,  焼なまし ,  半導体 ,  表面処理 ,  励起 ,  ヒ素 ,  *不動態化 ,  *ヒ化ガリウム ,  Fermi準位 ,  状態密度 ,  *窒化ケイ素 ,  ピン止め ,  *プラズマCVD

著者キーワード (6件)： III-V化合物半導体 ,  表面不動態化 ,  GaAs ,  金属-絶縁体-半導体構造 ,  PECVD ,  窒化けい素

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化けい素 ,  低周波数 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  段階 ,  ドライプロセス ,  GaAs ,  表面不動態化