文献

J-GLOBAL ID：202002283379326061   整理番号：20A0487425

フッ素系直交溶媒から形成したポリ(メタクリル酸メチル)ゲート誘電体の混合なしのデバイス作製に基づくトップゲート高分子発光トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Top-Gated Polymer Light-Emitting Transistors Based on the Device Fabrication without Intermixing of Poly(methyl methacrylate) Gate Dielectric Formed from Fluorine-Based Orthogonal Solvent

著者 (5件)： Kajii Hirotake (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Mashimo Takayuki (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Hara Mikio (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Ohmori Yutaka (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Kondow Masahiko (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 3  ページ： e1900531  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素ベースの溶媒,CF_3CH_2OCF_2CHF_2(AGC,AE-3000)を用いて形成されたポリメタクリル酸メチル(PMMA)ゲート誘電体は,トップゲート有機発光トランジスタ(OLET)デバイス作製のための発光層と誘電体層の混合を防ぐのに有用である。ポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体,スーパーイエローに基づくOLETsの素子性能は,相互混合なしでの作製のために改善される。ポリ(アルキルフルオレン)中にドープしたPt-テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン[Pt(TPBP)]を有するOLETに対して,Pt(TPBP)からの近赤外発光と約1%の比較的高い外部量子効率を達成した。このデバイス作製法は,プリントされたトップゲートOLETsにおける損傷のない製造プロセスの開発における展望を開く。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  *フッ素 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  リン光 ,  *高分子 ,  生産工程 ,  *誘電体 ,  *直交性 ,  近赤外線
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  発光層 ,  有機発光トランジスタ ,  *発光トランジスタ ,  *トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 共役重合体 ,  ゲート誘電体 ,  有機発光トランジスタ ,  リン光

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： フッ素 ,  溶媒 ,  メタクリル酸メチル ,  ゲート誘電体 ,  作製 ,  トップ ,  ゲート ,  高分子 ,  発光トランジスタ