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J-GLOBAL ID：202002283780916299   整理番号：20A2648300

スケーリングダウン技術とスキームによる電流基準回路の電磁感受率に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】

A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes

著者 (13件)： Wang Zhian (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Zhian (Key Laboratory of Silicon Devices and Technology, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Binhong (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Binhong (Guangdong Greater Bay Area Institute of Integrated Circuit and System, Guangdong, China) ,  Wu Jianfei (National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zhao Wenxin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Bo (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Bo (Key Laboratory of Silicon Devices and Technology, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Hainan (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Guan Chongjie (School of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Feng Shiwei (School of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Luo Jiajun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ye Tianchun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,電流基準回路の電磁感受性(EMS)に及ぼすプロセスノードと回路方式の影響を研究する。0.5μm(VREF50),0.35μm(VREF33)および0.18μm(VREF18)の技術ノードを有するPDSOIを用いた3つの参照回路を使用した。VREF50は付加的CASCODE構造を持ち,PSRR強化を達成した。試験結果は,電磁干渉(EMI)が端末VDDとVSSに注入されるとき,3つの回路の両方の基準電流が負のシフトを示すことを示した。主な理由は,端子VDDに近いトランジスタのドレイン電圧が大きく変動して,時間から時間への飽和から線形領域への偏差を引き起こし,従って電流の平均値を減らせることである。大きなプロセスノードを有するより高い電圧マージンは,EMIに対する参照回路の免疫を強くした。CASCODE構造が低周波大信号EMIにマイナス効果を持つことは注目に値する。したがって,VREF50とVREF33は類似のEMSを有する。より高い周波数領域において,CASCODE構造によってもたらされる寄生効果はより深刻になり,それは回路の高周波インピーダンスを増加させる。最後に,シミュレーション結果は,EMI注入を減らすために,感度ノードとVDDの間のバイパスコンデンサを減少させることによって,免疫レベルを改善し,そして,回路線形性を改善するために,正の温度係数抵抗器によって非線形装置を置き換えることを暗示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  コンデンサ ,  シミュレーション ,  電圧 ,  *電流 ,  トランジスタ ,  抵抗器 ,  HF【周波数】 ,  電磁干渉 ,  端末装置 ,  LF【周波数】 ,  温度係数 ,  周波数領域
準シソーラス用語： イミュニティ ,  大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： スケーリングダウン ,  スキーム ,  基準回路 ,  感受率 ,  研究