文献

J-GLOBAL ID：202002283817262844   整理番号：20A2237698

不揮発性メモリ用Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造の解明

Understanding local structure of Cr₂Ge₂Te₆ phase change material for non-volatile memory application

著者 (11件)： 畑山祥吾 (東北大 工) ,  YI Shuang (東北大 工) ,  FONS Paul (AIST) ,  FONS Paul (JASRI) ,  齊藤雄太 (AIST) ,  KOLOBOV Alexander V. (AIST) ,  KOLOBOV Alexander V. (ゲルツェン大) ,  小林啓介 (高知大) ,  進藤怜史 (東北大 工) ,  安藤大輔 (東北大 工) ,  須藤祐司 (東北大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-A201-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 相変化材料(PCM)はアモルファス相(高抵抗)と結晶相(低抵抗)との間で大きな抵抗差を示すため、不揮発性メモリ(PCRAM)に応用されている。実用材にはGe-Sb-Te化合物(GST)が用いられており、GSTを用いたPCRAMは動作が高速...【本文一部表示】

シソーラス用語： 結晶化 ,  *相転移 ,  電流 ,  *クロム ,  *テルル ,  準安定相 ,  保持容量 ,  非晶質 ,  *不揮発性メモリ ,  EXAFS ,  キャリア生成 ,  配位数 ,  アモルファス化
準シソーラス用語： 局所構造 ,  結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不揮発性メモリ ,  相変化材料 ,  局所構造