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J-GLOBAL ID：202002283863476787   整理番号：20A2237747

大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS₂-nMISFETs

Normally-off Sputtered MoS₂-nMISFETs for Large Scale Integration

著者 (12件)： 松浦賢太朗 (東京工大) ,  濱田昌也 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  谷川晴紀 (東京工大) ,  坂本拓朗 (東京工大) ,  堀敦 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-A305-13  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに. MoS2膜は層状構造や柔軟性,光透過性などの良好な機械的,光学的特性を有し,バンドギャップ(単層:1.9eV,多層:1.2eV)を持つため[1,2],新たな2次元チャネル材料として注目されている.MoS2膜の形成には,剥離法...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  焼なまし ,  電流 ,  粉体 ,  *モリブデン ,  アルミナ ,  硫黄 ,  キャリア密度 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  絶縁膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  集積化 ,  スパッタ堆積 ,  ノーマリーオフ ,  MoS2