文献

J-GLOBAL ID：202002286131562959   整理番号：20A2241506

PdErSiソースとドレインを有するゲートファーストSchottky障壁pMOSFETの低温作製【JST・京大機械翻訳】

The low temperature fabrication of gate-first Schottky barrier pMOSFET with PdErSi source and drain

著者 (4件)： MAILIG R. M. D. (Tokyo Inst. of Technol.) ,  ARUGA Y. (Tokyo Inst. of Technol.) ,  KIM M. G. (Tokyo Inst. of Technol.) ,  OHMI S. (Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A305-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 1.導入。ゲート第一CMOS製造におけるHfNまたはHfO_2のような高kゲート絶縁膜の統合に対する主な要求は,500°C以下の低熱収支プロセスである。この場合,金属ケイ化物を利用するSchottky障壁(SB)源とドレイン(S/D)は,従来...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  合金 ,  焼なまし ,  *低温 ,  アルミニウム ,  リン ,  酸化物 ,  イオン注入 ,  珪化作用 ,  ケイ化物 ,  ドーパント ,  パターン形成 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *pMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ソース ,  ドレイン ,  ゲート ,  Schottky障壁 ,  pMOSFET ,  低温 ,  作製