文献
J-GLOBAL ID:202002286857463835   整理番号:20A2123007

ドライエッチングによるMEMSデバイス用の固定懸垂窒化けい素構造の新しい作製【JST・京大機械翻訳】

Novel fabrication of fixed suspended silicon nitride structure for MEMS devices with dry etching
著者 (5件):
資料名:
巻: 872  号:ページ: 012157 (7pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5559A  ISSN: 1757-8981  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
懸濁LPCVDおよびPECVD窒化ケイ素構造を作製する方法を,広範囲のMEMS(マイクロ電気機械システム)応用に対して示した。1μm厚さの低応力LPCVDとPECVD窒化ケイ素膜を,別々に構造のために選択した。光学リソグラフィーパラメータ,すなわち,フォトレジスト(PR)厚さ,PR品種および焼成パラメータを最適化し,シリコンおよび窒化ケイ素の選択的エッチングに適したPRを得た。乾燥エッチングプロセスのパラメータも最適化し,窒化ケイ素の異方性エッチングとSiの等方性エッチングを達成し,窒化ケイ素ビームを解放した。放出した窒化ケイ素構造を,走査Electron顕微鏡(SEM)とレーザドップラー振動計(LDV)を用いて特性評価した。有限要素法(FEM)解析をCOMSOLを用いて行い,レーザドップラー振動計(LDV)を用いて調べた振動の実験モードと比較した。したがって,30kHzにおける最初のモードが実際に最適整合であることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る