文献

J-GLOBAL ID：202002287130054259   整理番号：20A0948841

GaN HEMTの誤点弧ロック現象に関する研究

Research on Locked False Turn-on Phenomenon of GaN HEMT

著者 (2件)： 碓井璃菜 (舞鶴工高専) ,  七森公碩 (舞鶴工高専)
資料名： パワーエレクトロニクス学会誌  (Journal of the Japan Institute of Power Electronics)
巻： 45  ページ： 199  発行年： 2020年03月31日 
JST資料番号： X0926A  ISSN： 1348-8538  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・GaNを利用して電気自動車用電力変換器を高周波化する際に問題となる誤点弧ロック現象に関して,発生条件を明確化するためにGaN HEMTによる解析を実施。
・スイッチが意図せずオン状態になって誤動作した際にゲート・ソース間電圧がしきい値以上に留まる誤点弧ロック現象の発生条件を,SPICEシミュレーションにより解析。
・純粋なスイッチ動作で誤点弧が発生するGaN HEMTによるシミュレーション結果から,スイッチの寄生インダクタンスに関する誤点弧ロック現象の発生条件を確認。

シソーラス用語： *HEMT ,  電力トランジスタ ,  *電気自動車 ,  電力変換器 ,  SPICEプログラム ,  回路シミュレーション ,  インダクタンス ,  スイッチ ,  ターンオン ,  *誤動作
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  寄生インダクタンス

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  電気自動車  (QG07020B) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  弧 ,  ロック ,  現象 ,  研究