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J-GLOBAL ID：202002287150454379   整理番号：20A1236132

バンドギャップエネルギー以上及びサブバンドギャップエネルギー励起により解析した自立n-GaN層における深い準位に関連した電荷移動過程

Charge transfer processes related to deep levels in free standing n-GaN layer analyzed by above and sub-bandgap energy excitation

著者 (5件)： Uehara Daisuke (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Kikuchi Moe (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Ma Bei (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Miyake Hideto (Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie University, 1577 Kurimamachiya, Tsu, 514-8507, Japan) ,  Ishitani Yoshihiro (Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Chiba University, 1-33 Yayoicho, Inage-ku, Chiba, 263-8522, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 6  ページ： 061003 (5pp)  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシーにより成長させた自立型n-GaNの深準位(DL)による電荷移動過程を,時間分解光ルミネセンス(PL)解析における二種類の励起を用いて調べた:バンドギャップエネルギー(E_g)(AEG)以上とサブE_g(SEG)である。SEG励起を使用すると,DLへの集団流入を変化させる励起子再結合などのバンドエッジ周辺のキャリアダイナミクスのないPL観測が可能になり,DL関連のPLと電荷移動プロセスの固有の性質が示された。温度上昇による強度のわずかな増加を伴う赤色光ルミネセンスのPL寿命の短縮は,放射遷移が支配的であることを示唆した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： エネルギー ,  バンドギャップ ,  膜 ,  *窒化ガリウム ,  *深い準位 ,  電荷移動 ,  エピタクシー ,  *光ルミネセンス ,  光ポンピング ,  量子遷移 ,  再結合 ,  バンド構造 ,  バンドギャップエネルギー ,  サブバンドギャップ ,  自立膜 ,  *時間分解光ルミネセンス ,  バンド端
準シソーラス用語： 水素化物気相エピタクシー ,  光励起 ,  放射遷移 ,  バンドエッジ

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： バンドギャップエネルギー ,  サブ ,  励起 ,  解析 ,  自立 ,  GaN ,  深い準位 ,  電荷 ,  移動過程