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J-GLOBAL ID：202002287512407421   整理番号：20A1751348

ステルスダイシングを用いた超薄ウエハの損傷なし絶縁【JST・京大機械翻訳】

Damage-Less Singulation of Ultra-Thin Wafers using Stealth Dicing

著者 (6件)： Suzuki Natsuki (Tokyo Institute of Technology,Institute of Inovative Research,Yokohama,Japan) ,  Nakamura Tomoji (Tokyo Institute of Technology,Institute of Inovative Research,Yokohama,Japan) ,  Kondo Yuta (Hamamatusu Photonics K. K.,Electron Tube Division,Iwata,Japan) ,  Tominaga Shimpei (Hamamatusu Photonics K. K.,System Division,Hamamatsu,Japan) ,  Atsumi Kazuhiro (Hamamatusu Photonics K. K.,Electron Tube Division,Iwata,Japan) ,  Ohba Takayuki (Tokyo Institute of Technology,Institute of Inovative Research,Yokohama,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECTC  ページ： 1043-1049  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄ウエハのStealth Diceing(SD)を用いた無損傷のシミュレーション技術について報告する。本論文では,パターン化アルミニウム線を有する高感度試験要素グループ(TEG)ウエハを用いて,損傷を最小化する方法について述べた。レーザ損傷をモニターするために,Ti/Al層の多重配線線を持つTEGウエハを開発した。配線線を設計し,散乱光に起因する配線抵抗の変化を測定した。また,発生した散乱損傷の位置を測定するために,モニタ配線の線/空間比(L/S)を1μm/1μmと設計した。この実験では,IR-OBIRCHとSTEM分析を行い,配線上のレーザ損傷の詳細を同定した。さらに,2種類のレーザ(波長:1099nmおよび1342nm)を用いて,処理結果に及ぼすシリコン中の透過率の影響を評価した。レーザ損傷評価をレーザ加工電力とレーザ焦点位置(デバイス側からの距離)のようなパラメータに基づいて行った。レーザ損傷が防止され,波長1099nmのレーザを用いた加工条件を最適化することにより,損傷フリーの歌化を達成できることを確認した。このSD技術を適用することにより,ダイシング街路の幅は,従来のブレードダイシングと比較して1/4に縮小できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  散乱 ,  電力 ,  レーザ加工 ,  アルミニウム ,  ケイ素 ,  チタン ,  *配線 ,  波長 ,  監視装置 ,  多重化 ,  透過率 ,  レーザ損傷 ,  パターン形成
準シソーラス用語： *ダイシング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ステルスダイシング ,  ウエハ ,  損傷 ,  絶縁