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J-GLOBAL ID：202002287562016090   整理番号：20A0000465

VNおよびVC下層上に形成されたFePt合金薄膜の構造に及ぼすキャップ層の影響

Influence of Cap-Layer on the Structure of FePt Alloy Thin Film Formed on VN and VC Underlayers

著者 (6件)： Shimizu T. (Faculty of Engineering, Yokohama National University) ,  Shimizu T. (Faculty of Science and Engineering, Chuo University) ,  Ohtake M. (Faculty of Engineering, Yokohama National University) ,  Futamoto M. (Faculty of Science and Engineering, Chuo University) ,  Kirino F. (Graduate School of Fine Arts, Tokyo University of the Arts) ,  Inaba N. (Faculty of Engineering, Yamagata University)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan (Web)  (Journal of the Magnetics Society of Japan (Web))
巻： 43  号： 6  ページ： 109-113(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0776A  ISSN： 1882-2932  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200°Cでの低温堆積と600°Cでの高温アニーリングから成る二段階法を用いて,厚さ2nmのMgO,VC,およびVNキャップ層を用いた場合と用いない場合で,厚さ10nmのFePt合金膜をMgO,VCおよびVN単結晶下地層上に作製した。MgOおよびバナジウム化合物(VC,VN)の表面エネルギーは,FePt合金よりも,それぞれ低く,高かった。表面平坦性,格子変形,L1₀秩序化の程度,および磁気異方性に及ぼす下層とキャップ層材料の組合せの影響を研究した。MgO,VC,およびVN(001)単結晶キャップ層の有無にかかわらず,FePt(001)単結晶膜はすべての下層にエピタキシャルに成長した。FePt膜の面内格子は,下層および/またはキャップ層との格子不整合の調節において拡張された。格子変形は基板表面に垂直なc軸を整列させ,L1₀秩序化を促進した。VN下地層とMgOキャップ層の組合せを用いることにより,より高い秩序度とより強い垂直磁気異方性を得た。本研究は,表面エネルギーがFePt合金よりそれぞれ高いおよび低い,下層とキャップ層材料の採用が,秩序度と磁気異方性を強化するのに有効であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バナジウム化合物 ,  *炭化物 ,  *窒化物 ,  *鉄合金 ,  *白金合金 ,  金属薄膜 ,  *結晶構造 ,  *保護膜 ,  結晶成長 ,  焼なまし ,  酸化マグネシウム ,  表面エネルギー ,  平坦性 ,  変形 ,  磁気異方性 ,  薄膜 ,  配向 ,  *垂直磁気異方性
準シソーラス用語： *炭化バナジウム ,  *窒化バナジウム ,  合金薄膜 ,  *キャップ層 ,  低温成長 ,  アニーリング ,  MgO ,  格子変形 ,  単結晶膜 ,  c軸配向

著者キーワード (10件)： L1_0規則化FePt膜 ,  表面エネルギー ,  下層 ,  キャップ層 ,  垂直磁気異方性 ,  L1_0規則化FePt膜 ,  表面エネルギー ,  下層 ,  キャップ層 ,  垂直磁気異方性

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

引用文献 (20件)：

• 1) O. A. Ivanov, L. V. Solina, V. A. Demshina, and L. M. Magat: Fiz. Metal Metalloved., 35, 81 (1973).
• 2) B. M. Lairson, M. R. Visokay, R. Sinclair, and B. M. Clemens: Appl. Phys. Lett., 62, 639 (1993).
• 3) A. Cebollada, D. Weller, J. Sticht, G. R. Harp, R. F. C. Farrow, R. F. Marks, R. Savoy, and J. C. Scott: Phys. Rev. B, 50, 3419 (1994).
• 4) S. Okamoto, N. Kikuchi, O. Kitakami, T. Miyazaki, Y. Shimada, and K. Fukamichi: Phys. Rev. B, 66, 024413 (2002).
• 5) T. Shima, K. Takanashi, Y. K. Takahashi, and K. Hono: Appl. Phys. Lett., 81, 1050 (2002).

タイトルに関連する用語 (4件)： VC ,  下層 ,  合金薄膜 ,  キャップ層