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J-GLOBAL ID：202002287761463962   整理番号：20A2093229

GaAs/GaAsBiコア-マルチシェルナノワイヤにおける双晶欠陥誘起変形とBi偏析【JST・京大機械翻訳】

Twin defect-triggered deformations and Bi segregation in GaAs/GaAsBi core-multishell nanowires

著者 (6件)： Matsuda Teruyoshi (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Takada Kyohei (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Yano Kohsuke (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Shimomura Satoshi (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Shimizu Yumiko (Toray Research Center, 3-3-7 Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Ishikawa Fumitaro (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 11  ページ： 113105-113105-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 双晶欠陥の存在により誘起されたGaAs/GaAsBi/GaAsコア-多重シェルヘテロ構造における微細構造変形とBi偏析を調べた。GaAsBiシェルにおける双晶欠陥界面の界面でのBi偏析を観測した。この現象はナノワイヤ中に水平に広がったBi蓄積ナノ構造を生成し,これはGaAsとGaAsBi間の大きな格子不整合によっておそらく誘起された。Biは双晶欠陥界面を通して侵入することが期待されるが,双晶欠陥に沿ったBiの存在とGaAsコアの内部にもなる。双晶欠陥の存在は構造変形を誘起し,ナノワイヤ上に波形複合側壁表面を形成した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *双晶 ,  微細構造 ,  *偏析 ,  *ビスマス ,  *ヒ化ガリウム ,  多重化 ,  ナノ構造 ,  格子不整合 ,  *ナノワイヤ ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  GaAsBi ,  コア ,  双晶 ,  欠陥 ,  誘起 ,  BI ,  偏析