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J-GLOBAL ID：202002288636476032   整理番号：20A2018289

高品質の低コストGaN/サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長した効率的な半極性410nmバイオレットレーザダイオードの実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of Efficient Semipolar 410 nm Violet Laser Diodes Heteroepitaxially Grown on High-Quality Low-Cost GaN/Sapphire Substrates

著者 (7件)： Li Hongjian (Materials Department, University of California, California, United States) ,  Li Panpan (Materials Department, University of California, California, United States) ,  Zhang Haojun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, California, United States) ,  Nakamura Shuji (Materials Department, University of California, California, United States) ,  Nakamura Shuji (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, California, United States) ,  DenBaars Steven P. (Materials Department, University of California, California, United States) ,  DenBaars Steven P. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, California, United States)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 7  ページ： 1874-1879  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体基板上への半極性レーザダイオード(LD)のヘテロエピタキシャル成長は極めて困難であるが,半極性バルクGaN基板のコスト低減に重要である。本研究では,高品質低コスト半極性GaN/サファイア基板上に成長した最初の効率的な半極性410nmバイオレットLDを示した。製作した半極性LDは,1.6Aで900mW以上の高い出力パワーと,パルス操作の下で5.6%の壁プラグ効率を示す。また,この解析は,活性領域における高密度の欠陥と高い非放射再結合速度が,デバイスで観察される高い透明性電流を説明することを,定量的に確認した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  電流 ,  *半導体レーザ ,  原価低減 ,  活性部位 ,  プラグ ,  利得 ,  パルス ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  *高品質 ,  非放射再結合 ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半極性GaN ,  レーザダイオード ,  MOCVD ,  光損失 ,  モード利得

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高品質 ,  GaN ,  サファイア基板 ,  成長 ,  半極性 ,  バイオレット ,  レーザダイオード ,  実証