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J-GLOBAL ID：202002289731376772   整理番号：20A0614182

ダイヤモンド(110)表面の異方性エッチングによる垂直{111}側壁を持つU字形ダイヤモンド溝の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of U-shaped diamond trenches with vertical {111} sidewalls by anisotropic etching of diamond (110) surfaces

著者 (16件)： Nagai M. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Nakamura Y. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Yamada T. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Tabakoya T. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Tabakoya T. (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Matsumoto T. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Matsumoto T. (Nanomaterials Research Institute, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Inokuma T. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Nebel C.E. (Nanomaterials Research Institute, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Nebel C.E. (Fraunhofer-Institute for Applied Solid State Physics (IAF), Tullastrasse 72, Freiburg 79108, Germany) ,  Makino T. (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamasaki S. (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamasaki S. (Nanomaterials Research Institute, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Tokuda N. (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan) ,  Tokuda N. (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Tokuda N. (Nanomaterials Research Institute, Kanazawa University, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 103  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温(1000°C)水蒸気中でNi膜を用いたダイヤモンド(110)表面の異方性エッチングにより,パワーデバイス用の垂直{111}側壁をもつU型ダイヤモンド溝を得ることに成功した。ダイヤモンド(110)表面のエッチング速度は,エッチング時間と(110)底のダイヤモンド溝のエッチング深さの間の関係に基づいて3.8μm/minと推定された。これらの(110)底は,エッチングが進行すると徐々に消失した。最後に,それらは完全に消滅し,各ダイヤモンドトレンチは4つの垂直{111}側壁と2つの傾斜{111}側壁によって囲まれていた。実験結果に基づいて,U型ダイヤモンド溝の形成機構も検討した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  ニッケル ,  高温 ,  *ダイヤモンド ,  異方性
準シソーラス用語： トレンチ ,  形成機構 ,  エッチング速度 ,  パワーデバイス ,  *異方性エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Ni ,  水蒸気 ,  異方性 ,  垂直壁 ,  U形トレンチ ,  U溝

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  異方性エッチング ,  垂直 ,  側壁 ,  U字形