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J-GLOBAL ID:202002290124166118   整理番号:20A2798933

STEM-EELSスペクトルイメージング法を用いたシリコンベース多層のナノ特性評価【JST・京大機械翻訳】

Nano-characterization of silicon-based multilayers using the technique of STEM-EELS spectrum-imaging
著者 (6件):
資料名:
巻: 25  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3060A  ISSN: 2352-4928  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリコン(Si)およびその化合物は,電子および太陽エネルギー産業によってまだ積極的に使用されている。本研究では,シリコン(Si)系薄膜,すなわちSi,窒化ケイ素(SiN_x),および酸化ケイ素(SiO_2)の特性評価のための1ストップインストレント(OSI)に焦点を当てた。OSIによるSi系化合物のキャラクタリゼーションを行う目標を,現代の透過型電子顕微鏡(TEM)によるそれらのナノスケールキャラクタリゼーション(Nano-キャラクタリゼーション)を実行することによって達成した。結果は,TEMがSi系多層スタックのナノ特性評価を行うための強力なOSIであることを証明した。それは電子顕微鏡イメージング(EMI)と電子分光イメージング(ESI)経路によっている。その結果,EMIはナノスケールで薄膜の構造とモルフォロジーを画像化し,イメージングと分光法を組み合わせることによってESIは酸化物と窒化物領域から純Si領域を区別できる。さらに,初めて,ESIは非晶質Siのものから結晶Si領域を区別するのに十分に敏感であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
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顕微鏡法  ,  セラミック・磁器の性質  ,  酸化物薄膜 

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