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J-GLOBAL ID：202002290784589226   整理番号：20A1353957

AlFeO_3薄膜ヘテロ構造における酸化還元ベースマルチレベル抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Redox-Based Multilevel Resistive Switching in AlFeO₃ Thin-Film Heterostructures

著者 (8件)： Rao Badari Narayana (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Yasui Shintaro (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Han Yefei (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Hamasaki Yosuke (Department of Applied Physics, National Defense Academy, Japan) ,  Katayama Tsukasa (Department of Chemistry, The University of Tokyo, Japan) ,  Shiraishi Takahisa (Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan) ,  Kiguchi Takanori (Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan) ,  Itoh Mitsuru (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 4  ページ： 1065-1073  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代不揮発性メモリデバイスは,高速処理,低電力消費,軽量,簡単な構造などの多くの機能を必要とする。抵抗スイッチング(RS)能力を有するヘテロ構造の使用は,これらの機能性を達成するための有望な方法である。本研究では,AlFeO_3薄膜から成る新たに同定されたヘテロ構造のRS特性を報告した。これらの膜はSrTiO_3基板上に堆積すると斜方晶系Pna2_1構造で安定化し,主にフェリ磁性と強誘電特性について研究した。しかし,それらの半導体様の性質も電圧誘起RSをもたらす。本研究では,Pt/AlFeO_3/NbドープSrTiO_3(111)ヘテロ構造におけるRSの証拠を示し,スイッチングプロセスを特性化し理解するために系統的な研究を行った。セルはマルチレベル抵抗状態を示し,高密度メモリ貯蔵に魅力的である。ヘテロ構造における低形成電圧は膜中に観測された柱状結晶ドメインに起因した。抵抗スイッチング機構を提案し,スイッチングはPt/膜界面でのSchottky障壁の変調に起因し,Feイオンの電圧誘起レドックス反応に起因した。魅力的なRS特性を有するヘテロ構造材料の同定とともに,本研究はスイッチング特性を調整するための微細構造の重要性を強調した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  記憶装置 ,  電圧 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  フェリ磁性 ,  白金 ,  強誘電性 ,  ドーピング ,  *酸化還元反応 ,  不揮発性メモリ ,  柱状晶
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗スイッチング ,  薄膜 ,  レドックス ,  Schottky障壁 ,  酸化鉄

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  酸化還元 ,  マルチレベル ,  抵抗スイッチング