Rao Badari Narayana について
Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan について
Yasui Shintaro について
Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan について
Han Yefei について
Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan について
Hamasaki Yosuke について
Department of Applied Physics, National Defense Academy, Japan について
Katayama Tsukasa について
Department of Chemistry, The University of Tokyo, Japan について
Shiraishi Takahisa について
Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan について
Kiguchi Takanori について
Institute for Materials Research, Tohoku University, Japan について
Itoh Mitsuru について
Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Japan について
ACS Applied Electronic Materials について
界面 について
記憶装置 について
電圧 について
薄膜 について
半導体 について
フェリ磁性 について
白金 について
強誘電性 について
ドーピング について
酸化還元反応 について
不揮発性メモリ について
柱状晶 について
ヘテロ構造 について
抵抗スイッチング について
抵抗スイッチング について
薄膜 について
レドックス について
Schottky障壁 について
酸化鉄 について
半導体集積回路 について
薄膜 について
ヘテロ構造 について
酸化還元 について
マルチレベル について
抵抗スイッチング について