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J-GLOBAL ID：202002291299336649   整理番号：20A2501598

ゲートオールアラウンドMOSFETのためのSi_0.7Ge_0.3/Si積層多層の熱安定性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on thermal stability of Si_0.7Ge_0.3/Si stacked multilayer for gate-all-around MOSFETS

著者 (17件)： Cheng Xiaohong (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Li Yongliang (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang Guilei (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Liu Haoyan (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zan Ying (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Lin Hongxiao (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Kong Zhenzhen (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zhong Zhaoyang (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zhong Zhaoyang (School of Applied Science, Beijing Information Science and Technology University, Beijing 100192, People’s Republic of China) ,  Li Yan (School of Applied Science, Beijing Information Science and Technology University, Beijing 100192, People’s Republic of China) ,  Wang Hanxiang (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Xu Gaobo (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Ma Xueli (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang Xiaolei (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Yang Hong (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Luo Jun (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang Wenwu (Integrated Circuit Advanced Process Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 11  ページ： 115008 (5pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゲートオールアラウンド(GAA)MOSFETSのためのSi_0.7Ge_0.3/Si積層多層の熱安定性を系統的に調べた。Si_0.7Ge_0.3/Si積層多層試料について,800°Cから1050°Cの温度範囲で急速熱アニーリング(RTA)処理を行った。成長したままの試料と比較して,RTA処理(800°C~900°C)Si_0.7Ge_0.3/Si積層多層試料は,良好な結晶品質,Si_0.7Ge_0.3とSiの間の鋭い界面,およびGeの小さな拡散を達成した。さらに,Geの急速な拡散により,Si_0.7Ge_0.3の厚さは~6nm増加し,Si_0.7Ge_0.3のGe濃度はアニーリング温度が950°Cに上昇すると~3%減少した。Si_0.7Ge_0.3/Si積層多層の界面は消滅し,最終的にアニーリング温度が1000°Cまたは1050°Cに上昇すると均一なSiGe合金のように挙動した。したがって,熱安定性については,GAAデバイスの製作のためのSi_0.7Ge_0.3/Si積層多層に対して900°Cの最高許容温度を提案した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *MOSFET ,  熱安定性 ,  多層 ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  アニーリング温度 ,  結晶品質 ,  SiGe合金 ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲートオールアラウンド ,  MOSFET ,  Si ,  多層 ,  熱安定性 ,  研究