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J-GLOBAL ID：202002291479284480   整理番号：20A1513750

ZnSe系有機-無機ハイブリッド構造を用いた高利得紫外アバランシェフォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

High-Gain Ultraviolet Avalanche Photodiodes Using a ZnSe-Based Organic-Inorganic Hybrid Structure

著者 (11件)： Ichikawa Yuki (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Tanaka Keita (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Nakagawa Kazuki (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Fujii Yuta (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Yoshida Kentaro (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Nakamura Kaiki (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Miyazaki Ryuichi (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Abe Tomoki (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Kasada Hirofumi (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Ichino Kunio (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Akaiwa Kazuaki (Department of Information and Electronics, Graduate School of Engineering, Tottori University, Tottori, Japan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 8  ページ： 4589-4593  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高利得で高感度のZnSeベースの有機-無機ハイブリッド紫外線アバランシェフォトダイオード(UV-APD)を開発した。無機ZnSe系ウエハ(i-ZnSSe活性層/n-ZnSSe)をn型GaAs基板上に分子線エピタキシー(MBE)により成長させた。ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリ-スチレンスルホナート(PEDOT:PSS)の無機UV-透明導電性ポリマー窓層を,以前に報告したインクジェット印刷技術の代わりにスピンコーティングとフォトリソグラフィー技法によって形成した。最適化フォトリソグラフィープロセスによりメサ形状エッジを有する薄い均一窓層を得た。絶縁破壊電圧前の漏れ電流は,インクジェット印刷により作製されたAPDデバイスのそれより低い<10-10A/mm2に抑制された。最大外部量子効率は,インクジェット印刷(η_max=50%)と比較して,フォトリソグラフィー技術を用いてη_max=70%(λ=340nm)に改善された。最大応答性は3A/Wから10A/Wまで改善された。最大増倍係数はM=90からM=3100まで改善された。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  紫外線 ,  増倍係数 ,  漏れ電流 ,  *セレン化亜鉛 ,  導電性高分子 ,  インクジェット印刷 ,  MBE成長 ,  活性層 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  フォトリソグラフィー ,  スピンコーティング ,  *有機-無機ハイブリッド ,  *複合構造 ,  改変
準シソーラス用語： 外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 紫外線アバランシェフォトダイオード ,  分子ビームエピタクシー ,  ZnSe ,  PEDOT:PSS ,  有機-無機ハイブリッド構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnSe ,  有機-無機ハイブリッド ,  高利得 ,  アバランシェフォトダイオード