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J-GLOBAL ID:202002291948492198   整理番号:20A2608059

ミスト化学蒸着による二酸化チタン上の二酸化スズのエピタクシー

Epitaxy of Tin Dioxide on Titanium Dioxide by Mist Chemical Vapor Deposition
著者 (6件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 173-178(J-STAGE)  発行年: 2020年 
JST資料番号: L4468A  ISSN: 1382-3469  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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二酸化スズ(SnO2)膜をm面サファイアおよび(001)平面二酸化チタン(TiO2)基板上に,ミスト化学蒸着を用いてエピタキシャル成長させた。SnO2膜の品質をX線回折(XRD)ω-ロッキングカーブの半値全幅(FWHM)によって評価した。FWHMの最低値はTiO2基板上のSnO2膜で0.06°であり,他の報告値より低かった。XRD逆空間マッピング(RSM)と透過型電子顕微鏡(TEM)により,垂直格子定数だけでなく横方向も測定した。次に,TiO2基板上のSnO2膜の格子定数はバルクSnO2と同じであった。TEMと電子後方散乱回折(EBSD)観察の結果から,SnO2膜の品質はSnO2膜の上部でより高かった。これらの結果は,高品質の単結晶SnO2膜がTiO2基板上に形成されることを示した。(翻訳著者抄録)
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酸化物薄膜 
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